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为响应国家战略性新兴产业发展,进一步夯实我国第三代半导体材料标准化工作的基础。3月28日,全国半导体材料标准工作会议在广东东莞顺利召开。本次会议由全国半导体材料标准化分技术委员会主办,广东光大旗下东莞市中镓半导体科技有限公司承办、北京大学东莞光电研究院协办,来自全国半导体材料行业近50家高校、科研院所及头部企业约65名代表参加了会议。
全国半导体材料标准化分技术委员会主任贺东江出席并主持会议,东莞市市场监督局标准化科科长尹伟深、广东光大集团总裁陈健民出席会议。
尹伟深科长表示,一直以来,东莞市委、市政府高度重视标准化工作,在政策出台、财政资助等方面,采取了一系列重大举措推动我市标准化工作创新发展,真诚希望国家标委会及各分标委会能够多多关注东莞相关各行业领域的发展,将更多的活动放在东莞举办,带领东莞的相关企业积极参与到各项标准化工作当中。
对于中镓半导体积极承办本次会议,尹伟深给予高度认可。他表示,中镓在半导体材料研发等方面技术实力雄厚,参与过多项相关国家标准的制修订工作,为东莞的标准化建设工作做出了积极贡献。
陈健民总裁表示,中镓半导体作为半导体材料企业的一份子,作为标准化力量的一员,一直以来高度重视标准化工作,在市场监督局的大力支持,半材标委与各行业专家代表的指导下,中镓半导体累计完成国家标准发布9项,其中主导完成3项。未来,公司将持续提高专业技术和专业思维,不断发现、不断创新、不断改进,为国家标准化事业的高质量发展贡献一份力量。
会议上,标委会委员及各标准项目单位代表积极发言、热烈讨论,最终成功审定、预审和讨论了13个标准项目。其中,讨论了碳化硅外延片、颗粒硅总金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法、多晶硅还原炉尾气成分的测定气相色谱法等5个国标项目;预审了碳化硅晶体材料缺陷图谱、蓝宝石图形化衬底片、硅中代位碳含量的红外吸收测试方法等7个国标项目;审定了碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法项目。会议最后取得圆满成功。
广东光大旗下中镓半导体成立于2009年,是国内首家专业研发、生产氮化镓(GaN)衬底材料的企业,深耕第三代半导体领域10余年,已建成专业的氮化镓衬底材料生产线,产品主要应用于快速充电器、激光、功率模块等领域。
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